来源: 新紫光集团 | 原文链接

近日，新紫光集团旗下西安紫光国芯在VLSI 2023技术与电路研讨会上公开发表了技术论文——《基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多层阵列 DRAM》。该论文的发表，体现了西安紫光国芯在SeDRAM®方向持续创新的最新突破。

本年度 VLSI 会议共收到全球投稿 632 篇，在最终录取的212 篇中，仅有2篇来自中国内地企业，其中1篇便是来自西安紫光国芯的嵌入式多层阵列DRAM论文。

嵌入式多层阵列SeDRAM示意图

本次VLSI 2023上，西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术和mini-TSV堆积技术。该技术平台每Gbit由2048个数据接口组成，每个接口数据速度达541 Mbps，最终实现业界领先的135 GBps/Gbit带宽和0.66 pJ/bit能效，为叠加更多层DRAM阵列结构提供先进有效的解决方案。

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